HEMT abbr. 高电子迁移率晶体管
- To predict the circuit performance, HEMT and CMOS device models used in the designs are described.
为了准确预测电路的效能,首先描述了HEMT及CMOS的元件模型。 - The model provides a valuable tool for the optimization and performance prediction of the double planar doped HEMT.
该模型为优化和预测双平面掺杂HEMT器件性能提供了一个有效手段。 - This experiment lays a foundation for the optimization of RTT and RTD HEMT monolithic integration circuit development.
实验为RTD/HEMT串联型RTT性能的优化和RTD/HEMT单片集成电路的研制奠定了基础。
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